tgδ為介質(zhì)損耗角的正切(或稱介質(zhì)損耗因數(shù))，一般均比較小。習(xí)慣上也有稱tgδ為介質(zhì)損耗角的。

       通過(guò)測(cè)量tgδ，可以反映出絕緣的一系列缺陷，如絕緣受潮，油或浸漬物臟污或劣化變質(zhì)，絕緣中有氣隙發(fā)生放電等。這時(shí)，流過(guò)絕緣的電流中有功電流分量IRx增大了，tgδ也加大。需要指出的是：絕緣中存在氣隙這種缺陷，最好通過(guò)作tgδ與外加電壓的關(guān)系曲線tgδ=f(U)來(lái)發(fā)現(xiàn)。

       例如對(duì)于發(fā)電機(jī)線棒，如果絕緣老化、氣隙較多、則tgδ=f(U)將呈現(xiàn)明顯的轉(zhuǎn)折、如圖2所示。Uc代表氣隙開始放電時(shí)的外加電壓，從tgδ增加的陡度可反映出老化的程度。但對(duì)于變電設(shè)備來(lái)說(shuō)，由于電橋電壓(2500~10000V)常遠(yuǎn)低于設(shè)備的工作電壓，因此tgδ測(cè)量雖可反映出絕緣受潮、油或浸漬物臟污、劣化變質(zhì)等缺陷，但難以反映出絕緣內(nèi)部的工作電壓下局部放電性缺陷。

       由于tgδ是一項(xiàng)表示絕緣內(nèi)功率損耗大小的參數(shù)，對(duì)于均勻介質(zhì)，它實(shí)際上反映著單位體積介質(zhì)內(nèi)的介質(zhì)損耗，與絕緣的體積大小沒(méi)有關(guān)系。這一點(diǎn)可以理解如下：在一定的絕緣的工作場(chǎng)強(qiáng)下，可以近似地認(rèn)為絕緣厚度正比于U。當(dāng)絕緣厚度一定，絕緣面積越大，其電容量越大，ICx也越大，故ICX正比于絕緣面積。因此近似地認(rèn)為絕緣體積正比于U ICx。由式（1）進(jìn)一步可知，tgδ反映單位體積中的介質(zhì)損耗。

       如果絕緣內(nèi)的缺陷不是分布性而是集中性的，則tgδ有時(shí)反映就不靈敏。被試絕緣的體積越大，或集中性缺陷所占的體積越小，那么集中性缺陷處的介質(zhì)損耗占被試絕緣全部介質(zhì)損耗中的比重就越小，而ICx一般幾乎是不變的，故由式（1）可知，tgδ增加得也越少，這樣，測(cè)tgδ法就不靈敏。

       對(duì)于像電機(jī)、電纜這類電氣設(shè)備，由于運(yùn)行中故障多為集中性缺陷發(fā)展所致，而且被試絕緣的體積較大，tgδ法效果就差了。因此，通常對(duì)運(yùn)行中的電機(jī)、電纜等設(shè)備進(jìn)行預(yù)防性試驗(yàn)時(shí)，便不做這項(xiàng)試驗(yàn)。相反，對(duì)于套管或互感器絕緣，tgδ試驗(yàn)就是一項(xiàng)必不可少而且是比較有效的試驗(yàn)。因?yàn)樘坠艿捏w積小，tgδ法不僅可以反映套管絕緣的全面情況，而且有時(shí)可以檢查出其中的集中性缺陷。

       當(dāng)被試品絕緣由不同的介質(zhì)組成，例如由兩種不同的絕緣部分并聯(lián)組成時(shí)，則根據(jù)被試品總的介質(zhì)損耗為其兩個(gè)組成部分介質(zhì)損耗之和，而且被試品所受電壓即為各組成部分所受的電壓，由式（1）可得

因此

        由式(2)可知，C2/Cx越小，則C2的缺陷(tgδ)增大)在測(cè)整體的tgδ時(shí)越難發(fā)現(xiàn)，故對(duì)于可以分解為各個(gè)絕緣部分的被試品，常用分解進(jìn)行tgδ測(cè)量的辦法來(lái)更有效地發(fā)現(xiàn)缺陷。例如測(cè)變壓器tgδ時(shí)，對(duì)套管的tgδ單獨(dú)進(jìn)行測(cè)量，可以有效地發(fā)現(xiàn)套管的缺陷，不然，由于套管的電容比繞組的電容小得多，在測(cè)量變壓器繞組連同套管的tgδ時(shí)，就不易反映套管內(nèi)的絕緣缺陷。

       在通過(guò)tgδ值判斷絕緣狀況時(shí)，同樣必須著重于與該設(shè)備歷年的tgδ值相比較以及和處于同樣運(yùn)行條件下的同類型設(shè)備相比較。即使tgδ值未超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)，但和過(guò)去比以及和同樣運(yùn)行條件的其他設(shè)備比，tgδ突然明顯增大時(shí)，就必須進(jìn)行處理，不然常常會(huì)在運(yùn)行中發(fā)生事故。